Modéisation de la diffusion des dopants dans le silicium

Abstract

Le travail de ce mémoire est consacré à la modélisation d’une étape particulière des procèdes de fabrication mis en œuvre en microélectronique : la diffusion des dopants. Ce travail a consisté à étudier les phénomènes physiques responsables de la diffusion, la compréhension physique des phénomènes est nettement améliorée grâce aux outils de la modélisation. Nous avons étudié un procède technologique de la fabrication de dispositif en silicium, voir comment se fait la distribution des atomes implantes sur la profondeur en variant les paramètres de la dose, de l’énergie d’implantation, là où et la durée de recuit thermique. Nous avons étudié un modèle des diffusions le bore et l’arsenic dans le silicium ce modèle tient compte du mécanisme lacune des diffusions, qui permet d’expliquer les paramètres influant sur la diffusion