Etude ab. Initio des propriétés structurelles, électroniques et élastiques des composent XN(X= Y et La)

Abstract

Dans ce travail, nous avons utilisé la méthode FP-LAPW (Full Potential-Linear Augmented Plane Wave), dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), incorporée dans le programme wien2k, en utilisant deux approximations, l'approximation de densité locale (LDA) et l'approximation de gradient généralisée (PBE-GGA), afin d'étudier les propriétés structurelles et électroniques et l'élasticité des deux composés binaires XN (X = La, Y). En plus des approximations citées, l'approximation de Backe-Johnson (mBJ) été utilisée pour calculer les propriétés électroniques. Les propriétés structurales ont été déterminées à partir de l'étude de la constante de réseau cristallin expérimentale, et les résultats obtenus tels que la constante de réseau cristallin, le module de compressibilité et son dérivé concordent bien avec les résultats théoriques disponibles. En déterminant la structure de bande d'énergie et la densité d'état (DOS), il a été constaté que les deux composés LaN et YN ont un caractère semi-conducteur en utilisant l'approximation de Backe-Johnson (mBJ) (LDA-GGA). L'étude des propriétés élastiques de ces deux composés a donné des résultats acceptables et raisonnables avec les résultats théoriques disponibles.