Modelisation et similationd une cellule mémoire EEPROM par TCAD-Silvaco
| dc.contributor.author | GHERAIBIA, Farida | |
| dc.contributor.author | KENNAZ, Nadjoua | |
| dc.date.accessioned | 2022-03-24T10:06:16Z | |
| dc.date.available | 2022-03-24T10:06:16Z | |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.description.abstract | La simulation des caractéristiques de la mémoire EEPROM est fondamentale pour la conception et l’optimisation de produits de mémoire non volatile de faible puissance. La simulation des différentes étapes avec simulateur (TCAD) du transistor MOS à grille flottante utilisé habituellement dans les cellules EEPROM à mémoire non volatile effaçable électrique est présentée. Afin de comprendre les mécanismes de transport de charge pour les dispositifs MOS, le Simulateur (TCAD) a permis une simulation et des études des propriétés électriques à savoir capacité-tension (C-V) et les caractéristiques notamment courants-tension (I-V) des structures MOS. Principalement, l’extraction des paramètres de Fowler-Nordheim dans un oxyde mince (polysilicium) SiO2 est présentée. | en_US |
| dc.description.provenance | Submitted by snv snv (dspace.snv@univ-tebessa.dz) on 2022-03-24T10:06:16Z No. of bitstreams: 1 Master Ghraibia et Kenaz.pdf: 5836271 bytes, checksum: eb856113f2f72c70e65772483a6411cf (MD5) | en |
| dc.description.provenance | Made available in DSpace on 2022-03-24T10:06:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Master Ghraibia et Kenaz.pdf: 5836271 bytes, checksum: eb856113f2f72c70e65772483a6411cf (MD5) Previous issue date: 2020 | en |
| dc.description.sponsorship | N. Rouag | en_US |
| dc.identifier.uri | http//localhost:8080/jspui/handle/123456789/2327 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | Universite laarbi tebessi tebessa | en_US |
| dc.title | Modelisation et similationd une cellule mémoire EEPROM par TCAD-Silvaco | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
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